国产键合DRAM试产！

（来源：Ai&芯片那点事儿）

韩媒报道称，中国存储巨头长鑫存储（CXMT）目前正在合肥测试一条Bonded DRAM（键合式DRAM）试验生产线，目标是在不使用EUV（极紫外）光刻设备的情况下，实现高性能DRAM制造。

因而，其有望成为1D及以后DRAM世代的重要工艺方向，被三星、SK海力士、长鑫存储等厂商视为下一代DRAM竞争的关键技术之一。

目前，三星正通过代号为B1b的项目推进自主Bonded DRAM技术研发，SK海力士也在同步开发类似技术。如果生产线开展顺利，意味着长鑫存储不仅在传统DRAM制程上持续追赶国际龙头，还可能通过Bonded DRAM这一新技术路线，在一定程度上绕开EUV设备限制，加速缩小与国际领先厂商之间的技术差距。

韩媒还指出，业内已有观点认为，长鑫存储在Bonded DRAM技术成熟度以及研发推进速度方面，可能已经领先于韩国两大存储厂商。

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