首页科技快讯全球AI竞速，国产半导体迎来高光时刻

全球AI竞速，国产半导体迎来高光时刻

来源：晰数塔互联网快讯时间：2026年01月28日 10:19

（来源：企业观察报）

转自：企业观察报

2025年，全球半导体设备市场在人工智能产业的强势拉动下，迎来了历史性的增长节点。

国际半导体产业协会最新发布的报告指出，2025年全球半导体制造设备总销售额预计达1330亿美元，超过2024年1043亿美元的纪录，创下历史新高。

半导体设备与材料是AI基础设施的基石。AI应用与大模型离不开芯片算力的支持，芯片制造则依赖于上游设备与材料的技术与供给。在AI产业化进程中，半导体设备与材料环节扮演着“卖铲人”的关键角色。

当前，中国市场正在引领全球芯片制造驶入新的成长周期。中微公司、北方华创、中芯国际、海光信息、寒武纪、南大光电等半导体龙头企业不断引领行业取得突破。

AI芯片快速迭代

拉动半导体设备需求激增

当前，全球AI竞争加速，用户规模扩大、模型能力不断演进带来了数据存储需求的指数级攀升。这意味着，AI产业的发展需要更多的芯片、性能更强的数据处理能力，以及更大的带宽和更快的速度。

当前，中国市场正在引领全球芯片制造驶入新的成长周期。国际半导体产业协会统计数据显示，2025年和2026年，全球芯片制造企业12英寸产能建设的设备支出将分别增长24%和11%，而中国12英寸芯片制造企业的量产工厂数量，预计将从2024年底的62座，增长至2026年底的超过70座。预计到2026年，中国内地12英寸晶圆厂的量产产能将达到321万片/月。

芯片制造商为满足AI加速器、高性能计算和高端移动处理器的产能需求，持续加码先进节点投资，行业正加速向2nm GAA节点的大批量生产迈进。这一过程直接拉动了刻蚀、薄膜沉积、光刻等半导体高端设备的需求，其中刻蚀设备因GAA制程对工艺精度的严苛要求，市场规模同比增长超20%。

三星电子、SK海力士、台积电、美光科技等国际存储芯片厂商纷纷选择扩产，并带动相关产品进入涨价周期，存储芯片逐步迈入量价齐升的“超级周期”。

近期，中芯国际、世界先进积体电路股份有限公司同时率先提价，并向下游客户发布涨价通知。此次涨价主要集中于8英寸BCD工艺平台，涨价幅度在10%左右。BCD工艺主要是集成功率、模拟和数字信号处理电路，BCD涨价或将带涨高压CMOS等工艺的价格。

2025年以来，存储芯片持续处于涨价通道中，根据Trend Force统计，2025年全年，存储芯片细分领域最高涨幅达1800%。

业界认为，存储芯片的扩产与涨价效应正沿着产业链向上游传导，有望直接带动刻蚀、薄膜沉积、混合键合等半导体关键设备与材料的需求激增。在AI算力需求的拉动下，半导体设备与材料已逐步从“预期推动”转向“订单兑现”阶段。

例如，国内企业中，中微公司的CCP刻蚀设备已成功进入先进制程供应链，其60:1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内先进制程标配，量产指标稳步提升，下一代90:1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场；北方华创的深硅刻蚀设备实现先进逻辑电路制造批量应用，财报显示，公司2025年第三季度营业收入为273亿元，同比上升34.1%，主要业务涵盖集成电路装备的研发、生产和销售。

2025年三季报显示，上证科创板半导体材料设备主题指数成份股营业收入与归母净利润同比增长均值分别达32.91%和29.11%，据此，华泰柏瑞基金判断，在订单的持续衍生中，半导体设备与材料厂商的业绩出现了明确的回暖态势，行业景气度正逐步转化为企业盈利。

突破关键技术

国产替代不断提速

国际半导体产业协会统计数据显示，至2025年第4季度，中国内地连续第10个季度稳居全球最大半导体设备市场，其中，2025年第3季度销售额达145.6亿美元，同比增长13%，占全球整体销售额的比重攀升至43%，为近4个季度以来首次突破40%。业绩认为，这一成绩的背后，是国内本土晶圆厂在成熟制程扩产与先进节点攻坚上的双重发力，在面临全球供应链波动的情况下，国内头部晶圆厂仍然能够保持稳定的资本开支，为半导体设备需求提供核心支撑。

中国半导体行业协会数据显示，2025年我国半导体设备国产化率已从2024年底的25%提升至35%，渗透率明显提升，半导体设备与材料国产替代已从战略布局步入成果落地阶段。根据S型增长曲线（导入期0~10%，加速期10%~40%，成熟期40%~80%），我国半导体设备国产化已进入加速期的核心爬坡段。

值得关注的是，我国在半导体设备与材料领域接连取得了重大关键技术突破。

半导体设备方面，离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造的四大核心装备，是半导体制造的刚需设备。长期以来，我国高能氢离子注入机完全依赖进口，其研发难度大、技术壁垒高，是制约我国关键技术产业升级发展的瓶颈之一。

近期，中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，核心指标达到国际先进水平，标志着我国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链中的关键环节。

半导体材料方面，在芯片制造中，不同材料层间的“岛状”连接结构长期阻碍热量传递，成为器件性能提升的关键瓶颈。近日，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过创新技术，成功将粗糙的“岛状”界面转变为原子级平整的“薄膜”，使芯片散热效率和器件性能获得突破性提升。基于该技术制备的氮化镓微波功率器件，在X波段和Ka波段输出功率密度分别达42瓦/毫米和20瓦/毫米，将国际纪录提升了30%至40%。这意味着同样芯片面积下，装备探测距离可显著增加，通信基站也能覆盖更远、更节能。

业界认为，这项技术的意义远超性能提升本身。它不仅解决了第三代到第四代半导体面临的共性散热难题，也为5G/6G通信、卫星互联网等未来产业奠定了核心器件基础。

半导体产业将实现

超越周期的增长

业界普遍认为，半导体市场规模扩张的驱动因素，本质上是全球数字化进程从“增量普及”转向“深度赋能”所带来的结构性跃迁。首先，核心驱动力已从过去的消费电子周期性轮动，升级为AI与云边智能所触发的全域算力需求增加，这要求从逻辑芯片到存储、互联的全产业链同步升级；其次，能源革命、汽车电子化、工业智能化正将半导体植入社会经济运行的底层脉络，使其需求具备了穿越周期的韧性；最后，全球供应链的区域化重构催生了重复建设和战略囤货，在短期内放大了市场规模。这些因素共同推动半导体从周期性产业迈向基础性战略物资。

据TrendForce数据，中国整体高阶AI芯片市场规模预计将在2026年增长超过60%，其中本土AI芯片仍会朝向自主化发展，具备发展潜力的主要芯片设计厂商有机会扩大市场占比至50%左右。

随着AI算力需求的持续释放、国内晶圆厂扩产计划的推进，国产半导体设备行业有望继续保持上升态势。本土企业将持续提升技术实力与市场份额，推动国产化从成熟制程向先进制程、从单一设备向全产业链解决方案延伸，逐步改变全球半导体设备市场的竞争格局。

在“大模型深度思考”和智能体AI的带动下，2026年半导体产业将继续受益于人工智能，实现超越周期的增长。世界半导体贸易统计组织预测，2026年全球半导体市场规模将增长26.3%，达到9750亿美元，逼近万亿美元大关。

多家券商机构认为，2026年半导体市场将围绕AI、数据中心、具身智能等赛道持续推进，先进制程制造、大芯片、设备、材料、零部件，光计算与光通信技术、先进散热与高功率电源等领域值得高度关注。