三星和SK海力士正在合作研发12纳米内存，16GB DDR5内存功耗降低了23%

随着模型训练任务的增多，HBM和DDR5等内存在高性能计算中的重要性日益凸显，然而，内存的功耗问题也日益突出。为此，三星电子和SK海力士等内存制造商正在与学术界合作，投资研发下一代技术以降低功耗，提升高性能计算的效率。 据了解，DRAM目前在基于英伟达A100的数据中心平台总功耗中占据40%，而随着层数的增加，HBM的功耗也会相应增加。首尔国立大学此前推出的DRAM Translation Layer技术，声称可以将DRAM的功耗降低31.6%，这引起了三星的关注。 目前，三星正在与首尔国立大学合作，以进一步降低内存功耗。他们基于Compute Express Link技术，开发了采用12纳米工艺的16GB DDR5 DRAM，与上一代产品相比，功耗降低了23%。 另一方面，SK海力士推出了LPDDR5X，将High-K金属栅（HKMG）工艺应用于移动DRAM。High-K材料的介电常数比传统SiON绝缘膜高约五倍，可以在相同面积和厚度下存储五倍的电荷，并帮助减少电流泄漏。通过控制泄漏电流，SK海力士的LPDDR5X速度提高了33%，功耗比上一代产品降低了20%以上。 随着模型训练任务对内存厂商提出进一步的技术更新要求，厂商们也在展开竞争，这将有助于降低内存成本，消费者也将从中受益。

发布于：北京

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