首页科技快讯国产DRAM重大突破，长鑫4F架构产品即将亮相！

国产DRAM重大突破，长鑫4F架构产品即将亮相！

来源：晰数塔互联网快讯时间：2026年10月11日 14:59

（来源：电子技术应用ChinaAET）

10月11日消息，在日前举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储总裁曹堪宇博士正式宣布，预计年底将推出融合4F²架构与混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

4F²架构的技术优势

4F²架构是DRAM领域公认的下一代技术方向。目前行业主流为6F²架构，每个存储单元占6倍最小特征尺寸的平方。而4F²意味着单元面积压缩至4倍最小特征尺寸的平方，同面积存储密度可提升30%至50%。

长鑫的技术积累

从6F²到4F²的跨越，本质是晶体管沟道从水平布局向垂直布局的根本性变革，6F²时代的设计和工艺流程无法完全复用，需要整合全新工艺体系。

长鑫在4F²领域的专利布局已走在全球前列。据曹堪宇介绍，长鑫自成立以来便启动了4F²的研究与专利布局，公开专利族超过300件，数量领先海内外厂商。

长鑫在2021年发布中国大陆首篇4F²架构相关论文，并在2023年、2025年的两篇论文中分享了研发进展。从专利数据看，长鑫在4F²架构上的技术积累已具备与国际巨头同台竞技的实力。

核心自研VSG晶体管

此次技术突破的核心是长鑫自研的VSG晶体管。VSG（Vertical Surrounding Gate）晶体管采用垂直包围沟道结构，能实现更强栅控，解决传统水平结构晶体管随制程微缩必然出现的短沟道效应和漏电问题。

需要指出的是，漏电对DRAM的影响尤为致命——存储单元依靠电容电荷区分逻辑“1”和“0”，漏电过高会导致电荷快速流失，数据错误甚至系统崩溃。VSG晶体管在提升存储密度的同时，从底层解决了这一长期痛点。

领先的混合键合技术

在混合键合技术方面，长鑫同样走在行业前列。早在2019年，长鑫便开始推进混合键合相关技术的独立自主研发，目前已公开的专利数量位居全球前十。

2025年，长鑫在IEDM发表论文，介绍了多层水平单元堆叠DRAM架构研发成果，首次在12英寸晶圆平台上完成DRAM和CMOS晶圆级键合的实验验证。

服务器赛道直指最高技术壁垒

将4F²架构首代产品定为DDR5 RDIMM，意味着长鑫选择了一条最为艰难的落地路径。与消费级内存不同，DDR5 RDIMM面向服务器市场，必须支持7×24小时不间断运行，能经受带电热插拔的电压冲击，并与不同厂商、不同代际的CPU和主板完成数百项严苛兼容性测试。

消费级内存追求“跑得快”，服务器级RDIMM追求的是“一直跑、不出错、在哪里都能跑”。长鑫选择以服务器内存作为首代产品，直指行业最高技术壁垒。

从更宏观的视角看，长鑫4F²架构的落地将带动国产存储产业链的协同升级。新架构涉及设计、工艺、设备、材料等多个环节的协同创新，有望推动国产存储产业链整体变革。

目前，长鑫在核心架构上已具备与海外友商同台竞技的实力。

来源 | 快科技