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不只搞内存，长鑫存储被曝将进军闪存

来源：晰数塔互联网快讯时间：2026年09月19日 10:22

（文/汤普济编辑/吕栋）

9月18日，据路透社援引三名知情人士消息，国内DRAM（内存芯片）龙头长鑫存储正筹备进入NAND Flash（闪存芯片）市场，计划在北京新建工厂内设立NAND研发生产线，并已在北京成立研究机构，相关项目包括NAND技术研发。

知情人士表示，长鑫存储已就NAND业务计划与潜在客户接洽，其中包括一家新成立的初创企业。后者拟采购长鑫存储的NAND芯片，用于面向AI系统和超级计算机的存储产品。报道未披露该企业的名称及具体背景。

路透社称，目前尚不清楚这条研发生产线何时投入运行，也无法确定长鑫存储是否会由研发和试产进一步转向大规模商业量产。

若上述计划推进，国内两大存储芯片厂商原本相对清晰的业务边界将进一步模糊。长鑫存储长期以DRAM为核心，长江存储则主要生产NAND Flash。

今年4月，路透社曾报道称，长江存储计划建设三座新工厂，每座全面投产后的设计月产能均约为10万片晶圆。两名消息人士表示，三座新厂都将拿出部分产能生产DRAM，具体规模取决于长江存储的芯片研发进展。

长江存储已经向客户寄送低功耗DRAM（LPDDR）样品，预计于2026年底前获得反馈，并据此决定后续DRAM生产安排。

2026年第二季度，长鑫存储在全球DRAM市场的营收份额由第一季度的7.7%升至9.5%，提高1.8个百分点，排名全球第四。同期，长江存储按NAND位元出货量计算的全球份额达到14%，超过铠侠和美光，升至全球第三；但按营收计算，其份额为13%，与第一季度持平，仍排名全球第五。

Counterpoint同时指出，长江存储计划在下半年提高企业级SSD的产品占比。

2025-2026第二季度DRAM（图一）NAND（图二）市场营收排名

Counterpoint

两家公司进入彼此的传统市场，不只是为了利用当前的存储涨价周期，也是在改善产品与顾客结构。

国际主要存储厂商大多同时经营DRAM和NAND：三星和美光均覆盖DRAM、HBM及NAND，SK海力士也通过旗下Solidigm布局NAND和企业级SSD。覆盖两类存储产品，既能服务不同应用场景，也能在DRAM与NAND景气周期不同步时分散经营风险。

全球存储市场的供需结构也在发生变化。市场调研机构TrendForce指出，随着AI应用由模型训练走向大规模推理，服务器对大容量DRAM和企业级SSD的需求持续增长。与此同时，全球主要存储厂商将更多资本开支和生产资源投向利润较高的HBM及先进DRAM，NAND新增产能相对有限。需求增长与扩产不足共同推动NAND供应趋紧，TrendForce预计，这一局面可能到2027年下半年才会逐步缓解。

对长鑫存储而言，其服务器DRAM业务正向云计算和AI客户延伸，而这些客户除内存外，也需要企业级SSD为模型、训练数据及推理数据提供存储。进入NAND市场，有助于长鑫承接当前的供应缺口，并围绕数据中心客户扩大产品覆盖范围。路透社此次就提到客户拟将其NAND用于AI系统和超级计算机存储产品。

长江存储目前仍较为依赖消费级NAND，在常规DRAM供应持续紧张的情况下，国内服务器和终端厂商也在寻找新的本土DRAM供应商。长江存储此时布局DRAM，可以承接这部分国产替代需求，并借助已有渠道进一步进入服务器内存市场。

两家公司还在借助资本市场为产能扩张和研发提供资金。长鑫存储今年7月在上海证券交易所科创板上市，募资579.2亿元，并被曝计划在北京建设第二座存储芯片工厂；长江存储母公司长存集团也在推进上海证券交易所科创板上市，拟募资约330亿元。

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发布于：上海