抢占 AI 存储市场下一风口，消息称三星电子已启动 HBF 闪存开发

（来源：IT之家）

IT之家 10 月 3 日消息，韩媒 fnnews 当地时间 1 日表示，三星电子已着手开展 HBF 高带宽闪存产品的概念设计等前期开发工作，计划针对 AI 数据中心对于高速存储介质的需求开发新产品。由于目前尚属初期，具体产品规格及量产时间尚无法确认。

目前几大 NAND 闪存原厂对于 HBF 高带宽闪存的理解主要有两个流派，一是闪迪提出、得到 SK 海力士支持的“NAND 版 HBM”，二是铠侠此前展示的“多 TB 超大容量高速 PCIe 设备”，报道并未确认三星选择了哪个开发方向。

对于大规模 AI 推理部署而言，传统的固态硬盘形态一般 NAND 存储难以满足高速输出的需求，三星电子目前持有的 Z-NAND 技术有望在介于常规 NAND 和 DRAM 之间的 MLS / SLM 层级发挥独特价值。

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