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SK海力士已完成HBM3e开发,预计将于今年3月量产

来源:晰数塔互联网快讯 时间:2024年02月21日 14:50

2月21日消息,据外媒Moneytoday报道,韩国存储芯片大厂SK海力士于1月中旬正式结束了HBM3E高带宽內存的开发工作,并且顺利完成了英伟达(NVIDIA)历时半年的性能评价,计划于今年3月开始大规模生产HBM3E,并在4月针对英伟达供应首批产品。

报道称,由于半导体产品的开发分为Phases 1-9等九个阶段,目前SK海力士已完成所有阶段的开发,并进入最后的增产(ramp-up)阶段,这也代表着从现在起生产的所有HBM3E都可以交付给辉达。

除了SK海力士外,其竞争对手三星电子和美光也向英伟达提供了HBM3E样品,但它们要到3月份才会开始最终的产品品质认证测试,以确保产品能够达到出货质量要求,而这时间点相较SK海力士比至少晚了两个月的时间。

报道进一步指出,这批HBM3E将用于英伟达下一代Blackwell系列的AI芯片旗舰产品B100上,而英伟达则计划于2024年第二季末或第三季初推出该系列产品。由于英伟达已经在AI GPU市场中占有超过90%以上市占率。而在HBM市场,SK海力士则是有全球HBM市场一半以上的市占率,更是100%垄断了128GB DDR5这类大容量DRAM产品市场。因此,SK海力士与英伟达间的合作,市场看好将推升AI芯片的市场发展。

编辑:芯智讯-林子

发布于:广东

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