台积电申请CMOS影像感测器专利，量子效率及均匀性得以改良

本文源自:金融界

金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“CMOS影像感测器“，公开号CN117423712A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，一种CMOS影像感测器包括在平面图中分布于一影像像素阵列中的多个PDAF像素。每一PDAF像素包括m×m个格化光电二极管、上覆格化光电二极管且由一第一隔离结构侧向包围的一PDAF彩色滤光片以及上覆PDAF彩色滤光片的一PDAF微型透镜。PDAF彩色滤光片的一中心与格化光电二极管的一中心之间的一第一水平距离依据CMOS影像感测器中PDAF像素在平面图中的一方位发生变化。第一隔离结构包括第一低n介电质栅格、第二低n介电质栅格及金属栅格。第二低n介电质栅格包括不同于第二低n介电质栅格材料的一填料介电材料。因此，CMOS影像感测器的量子效率及均匀性得以改良。

发布于：北京

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