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绕过ASML天价光刻机！台积电公布最新技术路线

来源：晰数塔互联网快讯时间：2026年04月23日 16:13

（来源：电子技术应用ChinaAET）

4月23日消息，据媒体报道，台积电周三公布了其最新一代芯片制造技术，并透露，即便不使用阿斯麦昂贵的新一代光刻设备，也能制造出更小、更快的芯片。

台积电计划继续挖掘荷兰供应商阿斯麦现有极紫外光刻机（EUV）的潜力，而非转向更新一代的高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV）。后者每台售价高达4亿美元，约为此前机型成本的两倍。

台积电周三发布了其A13芯片技术，计划在不升级到阿斯麦最新高数值孔径极紫外光刻设备的情况下，制造更小、更快的处理器。

台积电路线图最引人注目的特点之一是：A13和A12均无需使用High-NA EUV光刻设备，台积电计划至少到2029年继续使用现有的低数值孔径EUV设备。

这与英特尔的路线图形成鲜明对比——英特尔计划从14A节点（2027-2028年）开始引入High-NA EUV。

“说实话，我对我们的研发团队感到非常钦佩。他们不断探索如何在不使用高数值孔径设备的情况下推动技术规模化发展。或许将来有一天他们不得不使用高数值孔径设备，但就目前而言，我们仍然能够充分利用现有EUV技术的优势，而无需转向高数值孔径设备——要知道，高数值孔径设备的成本非常非常高。”——张晓强

据路透社报道，High-NA EUV设备单台价格高达4亿美元，约为现有EUV设备的两倍。台积电副共同首席运营官张晓强对路透社表示：“这是我们研发团队做得特别出色的地方——在利用现有EUV技术的同时，制定了积极的技术微缩路线图。这绝对是一个优势。”

阿斯麦最新的高数值孔径极紫外光刻机单价超过4.1亿美元，大约是旧款光刻机价格的两倍。台积电副联席首席运营官Kevin Zhang表示，下一代高数值孔径光刻机非常非常昂贵，公司将继续使用现有的极紫外光刻技术。

他还强调，台积电在研发方面做得非常出色，既充分利用了现有的极紫外光刻技术，又制定了积极的技术扩展路线图，这绝对是台积电的优势。

这一决定可能给阿斯麦业务带来挑战。阿斯麦原预计高数值孔径光刻机将在2027年和2028年进入大规模量产阶段，并到2030年实现高达600亿欧元的营收。

新技术路线

随着芯片规模的不断扩大，成本和先进封装技术的重要性可能正与光刻技术不相上下，成本已成为台积电当前研发新技术时的重要参考。

台积电将A13工艺描述为A14工艺的缩小版，在保持A14设计规则不变的情况下，面积缩小了6%。这一工艺将主要用于制造人工智能芯片。

与此同时，该公司还推出了N2U工艺，这是一种2纳米制程的变体，预计将于2028年推出，目标是与N2P工艺相比，速度提高3%-4%或功耗降低8%-10%。N2U是一种更具成本效益的选择，可用于制造手机和笔记本电脑芯片以及人工智能芯片。

目前，像英伟达的Vera Rubin这样的AI产品包含两颗大型计算芯片和八组高带宽内存堆叠。而台积电周三表示，到2028年，它将具备将十颗大型芯片和二十组内存堆叠拼接在一起的能力。

这将使芯片的功率和性能得以提升，但咨询公司More Than Moore的首席分析师Ian Cutress指出，大型芯片封装可能弯曲和破裂，这是英伟达Rubin AI处理器遇到的问题，但台积电未就此问题进行说明。

A16推迟至2027年，A12接力2029年

A16：首次引入背面供电，量产推迟至2027年

台积电的A16工艺是首款采用Super Power Rail（SPR）背面供电技术的节点，专为高性能数据中心应用定制。本质上，A16是N2P加上背面供电，将使用第一代纳米片GAA晶体管，在功耗、性能和晶体管密度上显著优于N2和N2P。值得注意的是，台积电将A16的量产时间从原定的2026年推迟至2027年。

“A16将于2026年准备就绪，但实际量产取决于客户需求，我们预计量产将于2027年开始。这就是我们将其时间表调整到这个时间点的原因。”——张晓强

与A16并行的还有N2X——N2P的性能增强版本，采用传统正面供电方式，将基于N2的设计时钟频率推至极限。A16的推出并不会取代N2X。

A12：第二代背面供电，2029年接棒

A16的接力棒将传递给A12——预计于2029年推出的下一代AI/HPC专用节点。A12将采用台积电第二代纳米片GAA晶体管和NanoFlex Pro技术，并继续使用背面供电（SPR），同时在正面和背面进行微缩以实现整体密度提升。

“A16是我们第一代拥有超强功率轨（背面供电）的技术。A12是下一代技术，它将继续缩小正面和背面的尺寸，从而实现整体密度提升。”——张晓强