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高速光模块放量,我们的核心技术成色究竟如何?

来源:晰数塔互联网快讯 时间:2026年04月17日 14:57

800G还没捂热,1.6T已开始上量,3.2T也在路上了。

2026年的光通信行业,正在被AI算力需求裹挟着疯狂狂奔。根据LightCounting最新预测,今年全球光模块市场将保持60%的高速增长,到2031年市场规模直逼600亿美元-2。面对这块巨大的蛋糕,中国厂商虽然拿下了全球80%以上的模块封装产能,但我们真的能高枕无忧吗?

在这波由硅光、CPO/NPO主导的技术变革中,我们的核心技术成色到底如何?今天就给你聊透。

一、 “模块霸权”下的隐痛:沙漏型结构

首先要肯定,在中游模块领域,我们是绝对的霸主。中际旭创、新易盛等巨头不仅拿下了英伟达、谷歌的订单,而且正在向NPO(近封装光学)等新架构强势进发。特别是谷歌抛出的千万只NPO订单,让中国厂商再次成为全球赢家。

但是,我们必须清醒地看到这个产业的“沙漏型”结构——中间胖,两头瘦

当光模块速率迈向800G乃至1.6T时,真正的核心技术壁垒并不在组装,而在光学“心脏”——芯片。目前,上游的高端光芯片(如100G EML)和核心高功率CW激光器,依然掌握在Coherent、Lumentum、三菱等美日巨头手中,国产化率极低。

没有高端芯,模块做得再大,也是为他人做嫁衣。

二、 硅光与LPO:是弯道超车还是生死考验?

为了突破“缺芯”困境,硅光技术成为了2026年的关键战场。

由于传统EML芯片产能受限于磷化铟材料,2026年供给缺口极大。这就给了硅光方案巨大的机会。银河证券预测,2026年在800G光模块中硅光方案占比将超过50%,在1.6T中更是高达70%-80%

这对我们来说是一把双刃剑利好的是,硅光技术依赖CMOS工艺,避开了传统高端激光器的制造壁垒,这给了国内产业链(如三安光电等)突破CW光源和特殊芯片的机会。挑战在于,硅光模块的封装精度要求从微米级跨入了0.05微米(亚微米)级的重复定位精度。这不再是过去劳动密集型的“搬砖”活,而是变成了半导体级的精密制造。

三、 隐形的“卖铲人”:设备端的国产化突围

很多人关注光模块,却忽略了背后的设备。

现在的1.6T光模块生产中,耦合与测试环节占到了整条产线价值的60%以上。以前手工焊一下就行,现在必须依靠高精度的六轴耦合设备和ATE测试机台。这是一个极度高壁垒的环节,以往被德国和日本厂商垄断。

但在这一轮由AI驱动的扩产潮中,国产设备商抓住了窗口期。从科瑞技术、罗博特科到形识智能,国产高精度耦合设备不仅在效率上提升了30%以上,还实现了0.05微米级的定位控制。虽然目前测试仪器国产化率仅为16%,但替代的大幕已经拉开。

这意味着,我们不仅要把模块造出来,还要把造模块的“机床”掌握在自己手里。

四、 未来预测:2026-2027的三大决战

基于现有逻辑,我对未来的判断如下:

NPO将先于CPO收割红利:CPO(共封装光学)由于良率和生态问题,大规模落地预计要等到2027-2028年。而2026年将是NPO(近封装光学)的爆发元年,这种兼顾性价比和性能的方案将率先在超大规模数据中心落地-1-10。光芯片进入“国产替代”深水区:2026年下半年,随着三安、源杰等厂商的100G EML和CW光源逐步通过认证并放量,国产高端光芯片将实现从0到1的突破。届时,拥有“光芯片+模块”一体化能力的厂商将获得超额利润。技术分化加剧行业洗牌:当速率迈向3.2T时,传统可插拔方案可能触及天花板。如果国内厂商不能在硅光集成和散热工程上突破,现有的“模块霸权”可能被颠覆。

高速光模块的放量,是对中国科技产业链的一次大阅兵。让我们从中游规模化制造到上游芯片突围提供机遇。

我们的制造能力和成本控制已经是SSS级,但在底层材料(光芯片)和尖端装备(高精度测试机)上,我们正在从A级向S级冲刺。

2026年,不仅是装口袋的一年,更是补功课的一年。只有跨过“光芯片”和“高端设备”这两道龙门,我们才敢说真正掌握了核心科技。

发布于:湖南

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